中國半導體面對美國封鎖能否突圍？台駐星國代表：短期難

面對美國技術封鎖，中國是否真能透過加快自主研發達成「科技突圍」？甫於近日發表新書「Taiwan at the Core：Strategic Partner in the Global Semiconductor Landscape and Realignment」（「台灣居於核心」）的駐新加坡代表童振源認為，半導體的真正領先，不只是一台關鍵設備，而是一整套高度協同的產業體系。

童振源指出，追趕可以靠決心與資源，超越則需要時間、制度與生態的積累，很難在短期內突破。

童振源表示，「Taiwan at the Core」的核心論點十分清晰：台灣位居全球半導體產業鏈的關鍵樞紐。這個「核心」並非孤立的中心，而是串聯各方、維繫體系穩定運作的關鍵節點，是高度專業分工架構中最具信任基礎的一環。

他指出，以營收計算，2025年台灣在全球半導體代工市場的占比高達78.6%；IC設計占18.7%；封裝測試達48.1%。在先進製程領域，至2029年整體比重預估達61%，其中4至6奈米製程更上看85%。這些數據背後，不僅是技術領先的體現，更是數十年工程師精神、產學協作與前瞻政策長期累積的成果。

童振源26日在個人臉書就「沒有EUV的突圍戰：中國能否改寫先進製程版圖？」進一步闡述其論點。他表示，近年來，中國在晶片自主化上屢傳突破，從7奈米到所謂5奈米級製程，頻頻登上國際媒體。然而，若回到技術本質與產業結構檢視，中國是否真能在先進製程上追上領先者，答案遠比標題來得複雜。

文章稱，當前關鍵門檻在於極紫外光（EUV）微影技術。對3奈米及以下節點而言，EUV幾乎不可或缺。但在出口管制下，中芯國際無法取得EUV，只能依賴深紫外光（DUV）浸潤式微影，並透過自對準四重圖形化（SAQP）等多重曝光技術，以增加製程步驟換取更小線寬。這種「以工程強度彌補設備差距」的策略確實帶來成果，外界普遍認為中芯已能以DUV製造準7奈米產品。

根據TechInsights拆解，華為Mate 80系列搭載的麒麟9030與9030 Pro由中芯N+3製程生產。然而，N+3更接近既有7奈米（N+2）的延伸優化，而非真正5奈米世代的跨越。其前段電晶體架構未出現根本變革，性能與密度提升主要來自後段金屬層間距壓縮，以及設計與製程的高度協同。

換言之，這是在DUV框架下的極限微調，而非建立在EUV基礎上的世代轉換，其技術天花板已隱然可見。

童振源強調，更嚴峻的是成本與良率。多重曝光意味著更多步驟、更高疊對誤差風險與更長生產周期。每增加一次曝光，缺陷與變異風險同步上升。外界推估，中芯7奈米良率約五成；若挑戰5奈米級，良率恐降至三至四成，且成本高出台積電同級製程四至五成。

童振源認為，即便中國能取得EUV，也未必水到渠成。英特爾與三星皆擁有EUV產線，卻曾在先進節點推進中遭遇良率與成本壓力。這說明競賽從來不是「買到設備」即可解決。台積電的優勢不僅在於機台，更在於長年累積的製程整合能力、缺陷管理經驗、供應鏈協同效率與高度紀律化的量產體系。先進製造是一項系統工程——設備只是門票，體系才是關鍵。

他指出，進一步看，微影只是生態系一環。先進製程高度依賴電子設計自動化（EDA）軟體、智慧財產核心模組（核心IP）、先進材料、量測系統與關鍵設備，相關領域仍由美、歐、日企業主導。各環節緊密交織，形成高度協同的技術網絡。單點突破難以改寫全局，真正的挑戰在於整體生態的重建。

童振源表示，中國企業並未停步。華為與上海微電子已布局EUV相關專利，展現長期自主化企圖。但從專利構想到穩定量產，往往橫亙數十年技術積累與全球供應鏈整合。ASML能實現EUV商業化，本身即是跨國分工與長期研發的成果。在相對封閉環境下複製此種模式，難度不言而喻。

他指出，更現實的是，技術邊界仍在前移。2025年初，英特爾已將高數值孔徑（High-NA）EUV導入生產，象徵3奈米之後的新競賽展開。即便中國未來成功開發低數值孔徑（Low-NA）EUV，也將面對持續提升的門檻。半導體競爭從不是靜態距離，而是一場動態追逐。